MOSFET canal N Infineon 18 A 1.2 kV N, 7 broches, TO-263 IMBG
- Code commande RS:
- 249-6952
- Référence fabricant:
- IMBG120R140M1HXTMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 249-6952
- Référence fabricant:
- IMBG120R140M1HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 18A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 1.2kV | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | IMBG | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 18A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 1.2kV | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série IMBG | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET en carbure de silicium d'Infineon réduit la complexité du système. Il fonctionne directement à partir du contrôleur de retour Amélioration du rendement et réduction de l'effort de refroidissement. Activation d'une fréquence plus élevée.
Très faibles pertes de commutation
Temps de résistance court-circuit 3 μs
dV/dt entièrement contrôlable
Tension de seuil de porte de référence, VGS(th) - 4,5 V
Résistant contre l'activation parasite, une tension de porte d'arrêt de 0 V peut être appliquée
Diode de corps robuste pour la commutation dure
Technologie d'interconnexion XT pour les meilleures performances thermiques de la catégorie
Distance de fuite du pack> 6,1 mm
Capteur-tige pour une performance de commutation optimisée
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