MOSFET canal N Infineon 64 A 75 V N, 7 broches, TO-263 IMBG
- Code commande RS:
- 248-9320
- Référence fabricant:
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
3 381,00 €
HT
4 057,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 3,381 € | 3 381,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 248-9320
- Référence fabricant:
- IMBG65R072M1HXTMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 64A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 75V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | IMBG | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 64A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 75V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série IMBG | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET SiC d'Infineon est un transistor CoolSiC 650 V construit sur la technologie de carbure de silicium solide, tirant parti des caractéristiques du matériau SiC à large écart de bande. Le transistor MOSFET CoolSiC 650 V offre une combinaison unique de performances, de fiabilité et de facilité d'utilisation, adapté à des températures élevées et à des opérations difficiles, il permet le déploiement simplifié et rentable du plus haut rendement du système.
Comportement de commutation optimisé à des courants plus élevés
Diode à corps rapide robuste de commutation avec faible Qf
Fiabilité de l'oxyde de grille supérieure
Tj max. -175 °C et excellent comportement thermique
Faible RDS(en marche) et faible dépendance du courant d'impulsion à la température
Capacité d'avalanche accrue
Compatible avec des drivers standard
La source Kelvin fournit jusqu'à 4 fois moins de pertes de commutation
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