MOSFET Infineon canal N, D2PAK 64 A 55 V

Les transistors MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon de International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre une résistance à la mise sous tension extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le D2Pak est un boîtier d'alimentation à montage en surface capable d'accueillir des tailles de matrice jusqu'à HEX-4. Il fournit la plus haute capacité de puissance et la plus faible résistance possible en marche dans n'importe quel boîtier à montage en surface existant. Le D2Pak est adapté aux applications à courant élevé en raison de sa faible résistance de connexion interne et peut dissiper jusqu'à 2 W dans une application à montage en surface typique.

Technologie de processus avancée
Montage en surface
Trou traversant bas profil
Température d'utilisation : 175 °C
Commutation rapide
Homologué entièrement avalanche