MOSFET canal N Infineon 64 A 55 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 258-3989
- Référence fabricant:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,71 € | 568,00 € |
| 1600 - 1600 | 0,675 € | 540,00 € |
| 2400 + | 0,646 € | 516,80 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3989
- Référence fabricant:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 64A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.014Ω | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 130W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 81nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 64A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.014Ω | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 130W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 81nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors MOSFET de puissance HEXFET d'Infineon de International Rectifier utilisent des techniques de traitement avancées pour atteindre une résistance à la mise sous tension extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception de dispositif robuste pour laquelle les transistors MOSFET de puissance HEXFET sont bien connus, fournit au concepteur un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans une grande variété d'applications. Le D2Pak est un boîtier d'alimentation à montage en surface capable d'accueillir des tailles de matrice jusqu'à HEX-4. Il fournit la plus haute capacité de puissance et la plus faible résistance possible en marche dans n'importe quel boîtier à montage en surface existant. Le D2Pak est adapté aux applications à courant élevé en raison de sa faible résistance de connexion interne et peut dissiper jusqu'à 2 W dans une application à montage en surface typique.
Technologie de processus avancée
Montage en surface
Trou traversant bas profil
Température d'utilisation : 175 °C
Commutation rapide
Homologué entièrement avalanche
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