MOSFET canal N Infineon 240 A 55 V, 7 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 214-4453
- Référence fabricant:
- IRF3805STRL-7PP
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,13 € | 15,65 € |
| 25 - 45 | 2,754 € | 13,77 € |
| 50 - 120 | 2,566 € | 12,83 € |
| 125 - 245 | 2,41 € | 12,05 € |
| 250 + | 2,222 € | 11,11 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4453
- Référence fabricant:
- IRF3805STRL-7PP
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 240A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 7 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.6mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 200nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 240A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 7 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.6mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 200nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Ce transistor MOSFET de puissance Infineon HEXFET utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température d'utilisation de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure puissance nominale à avalanche répétitive.
Il est sans plomb
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