MOSFET canal N Infineon 131 A 55 V, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9276
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-516
- Référence fabricant:
- IRF1405STRLPBF
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 25 de plus pour économiser 8,10 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
16,26 €
HT
19,51 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 675 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,252 € | 16,26 € | - |
| 25 - 45 | 2,928 € | 14,64 € | 8,10 € |
| 50 - 120 | 2,764 € | 13,82 € | 24,40 € |
| 125 - 245 | 2,57 € | 12,85 € | 85,25 € |
| 250 + | 2,372 € | 11,86 € | 220,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9276
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-516
- Référence fabricant:
- IRF1405STRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 131A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.3mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 170nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 131A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.3mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 170nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple de 55 V dans un boîtier D2 Pak.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Peut être soudé à la vague
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 131 A 55 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 64 A 55 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 51 A 55 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 51 A 55 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 89 A 55 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 240 A 55 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 30 A 55 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 55 A 100 V Enrichissement TO-263 HEXFET