MOSFET canal N Infineon 51 A 55 V, 3 broches, TO-263 HEXFET
- Code commande RS:
- 214-4464
- Référence fabricant:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 214-4464
- Référence fabricant:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 51A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13.6mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 46nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 82W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 51A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13.6mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 82W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Ce transistor MOSFET de puissance IRFET robuste Infineon est optimisé pour une faible capacité RDS(on) et une capacité de courant élevé. Il est idéal pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse.
Il est optimisé pour la rectification synchrone
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 51 A 55 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 51 A 55 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 64 A 55 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 131 A 55 V, TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 51 A 150 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 89 A 55 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 240 A 55 V TO-263 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 110 A 55 V Enrichissement TO-263 HEXFET