MOSFET P Vishay 20.5 A -30 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 AEC-Q101

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Code commande RS:
252-0243
Référence fabricant:
SI4151DY-T1-GE3
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

20.5A

Tension Drain Source maximum Vds

-30V

Type de Boitier

SO-8

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.01mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

58nC

Tension directe Vf

1.1V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

5.6W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

AEC-Q101

La gamme de produits MOSFET Siliconix de Vishay inclut une gamme diversifiée de technologies avancées. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. Le substrat MOSFET à canal P contient des électrons et des trous d'électrons. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'allument lorsque la tension fournie à la borne de grille est inférieure à la tension de source.

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