MOSFET canal N DiodesZetex 11 A 150 V Enrichissement, 8 broches, PowerDI5060-8 AEC-Q101

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Code commande RS:
254-8664
Référence fabricant:
DMTH15H017SPSWQ-13
Marque:
DiodesZetex
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Marque

DiodesZetex

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

PowerDI5060-8

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

41mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.73W

Tension maximale de source de la grille Vgs

8V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

1mm

Normes/homologations

No

Largeur

5.15mm

Longueur

6.4mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET en mode d'amélioration DiodeZetex a été conçu pour minimiser la résistance à l'état actif tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement. Il est applicable dans les convertisseurs c.c.-c.c. et les moteurs

Faible résistance à la mise sous tension, haut rendement de conversion, faible capacité d'entrée, sans halogène ni antimoine

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