MOSFET N Infineon 76 A 200 V, TO-220 HEXFET

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257-5807P
Référence fabricant:
IRFB4127PBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

76A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Montage sur circuit imprimé

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

375W

Tension directe Vf

1.3V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La famille de MOSFET de puissance strongIRFET d'Infineon est optimisée pour un faible RDS et une capacité de courant élevé. Les dispositions sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et de la robustesse. Le portefeuille complet s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c. c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c. c.-c. c.

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