MOSFET canal N Infineon 200 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 688-7178
- Référence fabricant:
- IRL1404ZPBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 688-7178
- Référence fabricant:
- IRL1404ZPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 200A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 75nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 230W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -16, +16V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.4mm | |
| Hauteur | 8.77mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.66mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 200A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 75nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 230W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -16, +16V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.4mm | ||
Hauteur 8.77mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.66mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
Infineon HEXFET Series MOSFET, 200A Maximum Continuous Drain Current, 230W Maximum Power Dissipation - IRL1404ZPBF
Ce MOSFET est conçu pour offrir un rendement élevé dans diverses applications, en particulier dans les domaines de l'automatisation, de l'électronique et de l'électrotechnique. Il garantit un fonctionnement fiable dans des conditions extrêmes, ce qui est crucial pour les systèmes électroniques avancés. Sa conception robuste en fait une option de choix pour les ingénieurs qui cherchent à optimiser les solutions de gestion de l'énergie.
Caractéristiques et avantages
• Capable de gérer des courants de vidange continus jusqu'à 200A
• La faible résistance de drain-source améliore l'efficacité
• Convient pour des vitesses de commutation élevées afin de réduire les pertes d'énergie
• Fonctionne dans une large gamme de températures allant de -55°C à +175°C
• Offre une tension de seuil de grille maximale de 2,7V pour la compatibilité
• Conçu dans un boîtier TO-220 à trou traversant pour un montage simple
Applications
• Utilisé dans les amplificateurs de puissance et les convertisseurs
• Utilisé dans les alimentations à découpage DC-DC
• Intégré dans le circuit de commande du moteur
• Idéal pour l'automobile et les énergies renouvelables
Quelle est la tension maximale que ce composant peut supporter ?
Il peut gérer une tension drain-source maximale de 40V.
Comment la tension de seuil de la porte affecte-t-elle le fonctionnement ?
Une tension de seuil de 2,7V assure une activation efficace du dispositif, ce qui permet un contrôle précis.
Ce composant peut-il être utilisé dans des environnements à haute température ?
Oui, il est conçu pour fonctionner jusqu'à +175°C, ce qui le rend adapté aux applications intensives.
Quelle est la signification d'une faible résistance drain-source ?
La faible résistance minimise les pertes de puissance, améliorant ainsi l'efficacité globale du système, en particulier à des charges de courant élevées.
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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