MOSFET canal N Infineon 65 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 650-4277
- Référence fabricant:
- IRFB4227PBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 650-4277
- Référence fabricant:
- IRFB4227PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 65A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 24mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30, +30V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.66mm | |
| Hauteur | 9.02mm | |
| Largeur | 4.82mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 65A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 24mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 70nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30, +30V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.66mm | ||
Hauteur 9.02mm | ||
Largeur 4.82mm | ||
Standard automobile Non | ||
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