MOSFET canal N Infineon 25 A 200 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 124-9009
- Référence fabricant:
- IRFB5620PBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
64,70 €
HT
77,65 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 1 300 unité(s) expédiée(s) à partir du 28 septembre 2026
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,294 € | 64,70 € |
| 100 - 200 | 1,259 € | 62,95 € |
| 250 - 450 | 1,226 € | 61,30 € |
| 500 - 950 | 1,194 € | 59,70 € |
| 1000 + | 1,164 € | 58,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 124-9009
- Référence fabricant:
- IRFB5620PBF
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 25A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 73mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20, +20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 14W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Hauteur | 9.02mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 25A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 73mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20, +20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 14W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Largeur 4.83mm | ||
Hauteur 9.02mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- MX
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension de source de drain maximale de 200 V, courant de drain continu maximum de 25 A - IRFB5620PBF
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain continu de 25 A permet une gestion robuste de la charge
• Rds(on) de 73 mΩ réduit les pertes de conduction dans les circuits d'alimentation
• La charge de grille de 25 nC permet des vitesses de commutation contrôlées
• La dissipation de puissance de 14 W permet une charge thermique modérée
• La tolérance de la grille jusqu'à 20 V protège contre les surcharges
Applications
• Idéal pour les alimentations à découpage dans les équipements industriels
• Utilisé pour la commutation à pied d'inverseur dans la conversion de puissance
• Peut être utilisé pour les étages de sortie d'amplificateur audio
• Adapté pour la commutation d'alimentation à usage général sur les cartes à trous traversants
Quelles températures extrêmes peut-il tolérer pendant le fonctionnement?
Comment le boîtier affecte-t-il le montage et la gestion thermique?
Quelles sont les limites de tension de grille à respecter lors du fonctionnement?
Comment son type de canal influence-t-il la conception des circuits?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 25 A 200 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 65 A 200 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 9.3 A 200 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 18 A 200 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 43 A 200 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 56 A 200 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 200 A 40 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 26 A 200 V Enrichissement TO-220 HEXFET
