MOSFET canal N Infineon 12 A 200 V, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9279
- Référence fabricant:
- IRF200B211
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|---|
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| 250 - 495 | 0,856 € | 4,28 € | 23% |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9279
- Référence fabricant:
- IRF200B211
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 200V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 170mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 200V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 170mΩ | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est la famille MOSFET IR de MOSFET de puissance qui utilise des procédés au silicium éprouvés offrant aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier d'alimentation à montage traversant standard
Boîtier de capacité de transport de courant élevé
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