MOSFET canal N Infineon 12 A 200 V, TO-220 HEXFET

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Code commande RS:
257-9278
Référence fabricant:
IRF200B211
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

12A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Résistance Drain Source maximum Rds

170mΩ

Tension directe Vf

1.3V

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est la famille MOSFET IR de MOSFET de puissance qui utilise des procédés au silicium éprouvés offrant aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Boîtier d'alimentation à montage traversant standard

Boîtier de capacité de transport de courant élevé

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