MOSFET P Infineon -21 A -30 V, 8 broches, PQFN HEXFET

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Code commande RS:
257-5834
Référence fabricant:
IRFH9310TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

-21A

Tension Drain Source maximum Vds

-30V

Série

HEXFET

Type de Boitier

PQFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

3.7mΩ

Tension directe Vf

-1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

3.1W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

58nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

390μm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

6mm

Longueur

5mm

Standard automobile

Non

La famille de MOSFET de puissance strongIRFET d'Infineon est optimisée pour un faible RDS et une capacité de courant élevé. Les dispositions sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et de la robustesse. Le portefeuille complet s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c. c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c. c.-c. c.

Boîtier d'alimentation à montage en surface standard

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Silicone optimisé pour les applications de commutation en-dessous de <100 kHz

Diode de corps plus souple que celui de la génération précédente de silicium

Large portefeuille disponible

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