MOSFET canal N Infineon 100 A 30 V, 8 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 257-5887
- Référence fabricant:
- IRFH5301TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,10 € | 10,50 € | - |
| 50 - 120 | 1,872 € | 9,36 € | 10% |
| 125 - 245 | 1,768 € | 8,84 € | 15% |
| 250 - 495 | 1,33 € | 6,65 € | 36% |
| 500 + | 1,296 € | 6,48 € | 38% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-5887
- Référence fabricant:
- IRFH5301TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.85mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 37nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Hauteur | 900μm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.85mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 37nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5mm | ||
Longueur 6mm | ||
Hauteur 900μm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La famille de MOSFET de puissance strongIRFET d'Infineon est optimisée pour un faible RDS et une capacité de courant élevé. Les dispositions sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et de la robustesse. Le portefeuille complet s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c. c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c. c.-c. c.
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Silicone optimisé pour les applications de commutation en-dessous de <100 kHz
Diode de corps plus souple que celui de la génération précédente de silicium
Large portefeuille disponible
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