MOSFET canal N Infineon 27 A 150 V, 8 broches, PQFN HEXFET

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Code commande RS:
257-5871
Référence fabricant:
IRFH5215TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

27A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

PQFN

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

58mΩ

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

21nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

104W

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

900μm

Longueur

6mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

5mm

Standard automobile

Non

La famille de MOSFET de puissance strongIRFET d'Infineon est optimisée pour un faible RDS et une capacité de courant élevé. Les dispositions sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et de la robustesse. Le portefeuille complet s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c. c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c. c.-c. c.

Faible RDSon (< 58 m)

Faible résistance thermique au circuit imprimé (<12 °C/W)

Testé 100 % Rg

Bas profil (<09 mm)

Brochage standard

Compatible avec les techniques de montage en surface existantes

Conforme à la directive RoHS, sans plomb, sans bromure et sans halogène pour l'environnement

MSL1, qualification industrielle

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