MOSFET canal N Infineon 40 A 20 V, PQFN HEXFET

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Code commande RS:
257-5802
Référence fabricant:
IRLHM620TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Type de Boitier

PQFN

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

2.5mΩ

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

37W

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La famille de MOSFET de puissance strongIRFET d'Infineon est optimisée pour un faible RDS et une capacité de courant élevé. Les dispositions sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et de la robustesse. Le portefeuille complet s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c. c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c. c.-c. c.

Optimisé pour une disponibilité maximale auprès des partenaires de distribution

Qualification des produits conformément à la norme JEDEC

Boîtier à montage en surface standard

Alternative potentielle au boîtier SuperSO8 à haut RDS(on)

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