Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 79 A 60 V, TO-220 HEXFET

Name: MOSFET canal N Infineon 79 A 60 V, TO-220 HEXFET
Brand: Infineon
SKU: 257-9268
Availability: InStock

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50 - 120	1,07 €	5,35 €	6,60 €
125 - 245	1,01 €	5,05 €	24,00 €
250 - 495	0,938 €	4,69 €	66,00 €
500 +	0,864 €	4,32 €	169,00 €

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Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	79A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-220
	Série	HEXFET
	Type de montage	En surface
	Résistance Drain Source maximum Rds	8.4mΩ
	Dissipation de puissance maximum Pd	110W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	46nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 79A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-220
	Série HEXFET
	Type de montage En surface
	Résistance Drain Source maximum Rds 8.4mΩ
	Dissipation de puissance maximum Pd 110W
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 46nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

La série IRF d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple de 60 V dans un boîtier D2 Pak.

Meilleure robustesse de la porte, de l'avalanche et du dv/dt dynamique

SOA de capacité et d'avalanche entièrement caractérisé

Capacité de diode de corps dV/dt et dI/dt améliorée

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