MOSFET canal N Infineon 900 mA 150 V, 6 broches, TSOP-6 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9289
- Référence fabricant:
- IRF5802TRPBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 257-9289
- Référence fabricant:
- IRF5802TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 900mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TSOP-6 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 150mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 4.5nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 900mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TSOP-6 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 150mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 4.5nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est la famille MOSFET IR de MOSFET de puissance qui utilise des procédés au silicium éprouvés offrant aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
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