MOSFET canal N Infineon 900 mA 150 V, 6 broches, TSOP-6 HEXFET

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Code commande RS:
257-9290
Référence fabricant:
IRF5802TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

900mA

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TSOP-6

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

150mΩ

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

2W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

4.5nC

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRF d'Infineon est la famille MOSFET IR de MOSFET de puissance qui utilise des procédés au silicium éprouvés offrant aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie.

Structure de cellule planaire pour large SOA

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz

Boîtier d'alimentation à montage en surface standard

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