MOSFET canal N Infineon 80 A 100 V, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9326
- Référence fabricant:
- IRF8010PBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,652 € | 13,26 € |
| 50 - 120 | 2,308 € | 11,54 € |
| 125 - 245 | 2,15 € | 10,75 € |
| 250 - 495 | 2,018 € | 10,09 € |
| 500 + | 1,858 € | 9,29 € |
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- Code commande RS:
- 257-9326
- Référence fabricant:
- IRF8010PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 80A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 15mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 81nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 80A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 15mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 81nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRF d'Infineon est un MOSFET de puissance à canal N simple de 100 V dans un boîtier TO 220. La famille de MOSFET IR utilise des procédés au silicium éprouvés qui offrent aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie. Les dispositifs sont disponibles dans une grande variété de boîtiers à montage en surface et à montage traversant avec des empreintes standard pour faciliter la conception.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier d'alimentation à montage traversant standard
Intensité nominale élevée
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