MOSFET canal N Infineon 180 A 75 V, TO-220 HEXFET

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Code commande RS:
257-9342
Référence fabricant:
IRFB3207PBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

180A

Tension Drain Source maximum Vds

75V

Type de Boitier

TO-220

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Résistance Drain Source maximum Rds

15mΩ

Tension directe Vf

1.3V

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La série IRFB d'Infineon est un MOSFET de puissance à canal N simple de 75 V dans un boîtier TO 220. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Boîtier d'alimentation à montage traversant standard

Intensité nominale élevée

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