MOSFET canal N Infineon 3.2 A 100 V, PQFN HEXFET

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Code commande RS:
257-9386
Référence fabricant:
IRFHM3911TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

3.2A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

PQFN

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Résistance Drain Source maximum Rds

15mΩ

Tension directe Vf

1.3V

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La série IRFHM d'Infineon est un MOSFET IR à canal n simple de 100 V dans un boîtier PQFN 3,3 x 3,3. La famille de MOSFET IR utilise des procédés au silicium éprouvés qui offrent aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie. Les dispositifs sont disponibles dans une grande variété de boîtiers à montage en surface et à montage traversant avec des empreintes standard pour faciliter la conception.

Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier à montage en surface standard


Structure de cellule planaire pour large SOA

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz

Boîtier à montage en surface standard

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