MOSFET Infineon canal N, DPAK 127 A 40 V

Spécialement conçu pour les applications automobiles d'Infineon, ce transistor MOSFET de puissance HEXFET utilise les dernières techniques de traitement pour atteindre une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température d'utilisation de jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure puissance nominale à avalanche répétitive. Ces caractéristiques se combinent pour faire de cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour une utilisation dans les applications automobiles et une grande variété d'autres applications.

Technologie de processus avancée
Nouvelle résistance à la mise sous tension ultra-faible
Température d'utilisation : 175 °C
Commutation rapide
Avalanche répétitive autorisée jusqu'à Tjmax
Sans plomb, conforme à la directive RoHS