MOSFET N Infineon 100 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101

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Code commande RS:
166-0799
Référence fabricant:
IPD100N04S402ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Série

OptiMOS-T2

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

Surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

91nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

150W

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.73mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.41mm

Standard automobile

AEC-Q101

Statut RoHS non applicable

Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon


La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

Canal N - Mode d'enrichissement

Qualifié AEC

MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C

Température d'utilisation de 175 °C

Produit vert (conforme à la norme RoHS)

Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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