MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 166-0799
- Référence fabricant:
- IPD100N04S402ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
2 037,50 €
HT
2 445,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 08 janvier 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,815 € | 2 037,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-0799
- Référence fabricant:
- IPD100N04S402ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | OptiMOS-T2 | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 91nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 6.22mm | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série OptiMOS-T2 | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 91nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 6.22mm | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS non applicable
- Pays d'origine :
- MY
Transistor MOSFET OptiMOS-T2 Infineon, tension de source de drain maximale de 40 V, courant de drain continu maximal de 100 A - IPD100N04S402ATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain continu de 100 A prend en charge les applications à forte charge
• La dissipation de puissance de 150 W permet une gestion de la chaleur substantielle
• La charge de grille 91 nC permet un contrôle de commutation prévisible
• La tension directe de 1,2 V réduit la chute de conduction sous charge
• La tolérance de la grille de 20 V favorise la protection contre les surcharges
Applications
• Utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les systèmes à courant élevé
• Idéal pour les commutateurs d'entraînement de moteur dans l'électronique automobile
• Peut être utilisé pour la gestion des batteries et la distribution d'énergie
• Utilisé avec les assemblages à montage en surface sur les modules d'alimentation compacts
Quel type de boîtier les concepteurs doivent-ils prendre en charge pour l'agencement de la carte?
Comment fonctionne-t-il à des températures extrêmes?
Quelle polarité et quelle disposition des canaux utilise-t-il?
Y a-t-il des limites à prendre en compte pour les tensions drain-source et les tensions de grille?
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