MOSFET N Infineon 100 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Code commande RS:
- 166-0799
- Référence fabricant:
- IPD100N04S402ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*
1 590,00 €
HT
1 907,50 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,636 € | 1 590,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 166-0799
- Référence fabricant:
- IPD100N04S402ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Série | OptiMOS-T2 | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 91nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 150W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 2.41mm | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Série OptiMOS-T2 | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 91nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 150W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.73mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 2.41mm | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Statut RoHS non applicable
Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon
La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.
Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.
Canal N - Mode d'enrichissement
Qualifié AEC
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
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