MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101

Code commande RS:: 166-0799
Référence fabricant:: IPD100N04S402ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 100 A 40 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 OptiMOS-T2 AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 037,50 €

2 445,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,815 €	2 037,50 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 166-0799
Référence fabricant:: IPD100N04S402ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	100A
	Tension Drain Source maximum Vds	40V
	Série	OptiMOS-T2
	Type de Boitier	TO-252
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd	150W
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	91nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	1.2V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Largeur	6.22mm
	Hauteur	2.41mm
	Longueur	6.73mm
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 100A
	Tension Drain Source maximum Vds 40V
	Série OptiMOS-T2
	Type de Boitier TO-252
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Dissipation de puissance maximum Pd 150W
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 91nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 1.2V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Largeur 6.22mm
	Hauteur 2.41mm
	Longueur 6.73mm
	Normes/homologations No
	Standard automobile AEC-Q101

IPD100N04S4-02 OptiMOS T2 Power-Transistor

Statut RoHS non applicable

Pays d'origine :: MY

Transistor MOSFET OptiMOS-T2 Infineon, tension de source de drain maximale de 40 V, courant de drain continu maximal de 100 A - IPD100N04S402ATMA1

Ce MOSFET est un transistor de commutation à courant élevé conçu pour les systèmes électroniques exigeants nécessitant des performances thermiques et électriques robustes. Il fonctionne sur une plage de températures étendue et est destiné à un montage en surface, offrant une faible résistance à l'état passant et une conduction efficace pour la conversion de puissance et les tâches de commutation dans les environnements automobiles et industriels.

Caractéristiques et avantages :

• Les Rds de 2 mΩ fournissent des pertes de conduction minimales
• Le courant de drain continu de 100 A prend en charge les applications à forte charge
• La dissipation de puissance de 150 W permet une gestion de la chaleur substantielle
• La charge de grille 91 nC permet un contrôle de commutation prévisible
• La tension directe de 1,2 V réduit la chute de conduction sous charge
• La tolérance de la grille de 20 V favorise la protection contre les surcharges

Applications

• Convient aux étages de puissance automobiles nécessitant la qualification AEC‐Q101
• Utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les systèmes à courant élevé
• Idéal pour les commutateurs d'entraînement de moteur dans l'électronique automobile
• Peut être utilisé pour la gestion des batteries et la distribution d'énergie
• Utilisé avec les assemblages à montage en surface sur les modules d'alimentation compacts

Quel type de boîtier les concepteurs doivent-ils prendre en charge pour l'agencement de la carte?

Le dispositif est fourni dans un boîtier TO‐252 et est destiné au montage en surface, de sorte que les modèles de mise à la terre doivent correspondre à la configuration à trois broches et aux exigences de tampon thermique.

Comment fonctionne-t-il à des températures extrêmes?

Il fonctionne de -55 °C à 175 °C, ce qui le rend adapté aux environnements avec de larges excursions thermiques et des températures ambiantes élevées.

Quelle polarité et quelle disposition des canaux utilise-t-il?

Il s'agit d'un dispositif en mode d'enrichissement à canal N, nécessitant une tension de porte à source positive pour la conduction et offrant un comportement de commutation à canal N standard.

Y a-t-il des limites à prendre en compte pour les tensions drain-source et les tensions de grille?

La tension maximale drain-source est de 40 V et la tension maximale grille-source est de 20 V, de sorte que les conceptions doivent s'assurer que ces limites ne sont pas dépassées pendant les transitoires.