MOSFET Infineon, TDSON-8

Le transistor MOSFET de puissance OptiMOS 5 d'Infineon dans un boîtier SuperSO8 offre la dernière technologie ainsi que des améliorations de température dans le boîtier. Cette nouvelle combinaison permet une plus grande densité de puissance ainsi qu'une meilleure robustesse. Par rapport aux dispositifs à faible valeur nominale, la fonction TJ_MAX de 175 °C offre soit plus de puissance à une température de jonction de fonctionnement plus élevée, soit une durée de vie plus longue à la même température de jonction de fonctionnement. En outre, une amélioration de 20 % de la zone de fonctionnement sûre est obtenue. Cette nouvelle caractéristique du boîtier est parfaite pour les applications telles que les télécommunications, les entraînements de moteur et les serveurs.

Faible RDS(on)
Optimisé pour le redressement synchrone
Durée de vie plus longue
Rendement et densité de puissance les plus élevés
Fiabilité du système la plus élevée
Robustesse thermique