MOSFET Infineon canal N, PG-TO263-3 176 A 100 V
- Code commande RS:
- 258-3785
- Référence fabricant:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Marque:
- Infineon
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (en bobine de 1000)
4,257 €
HT
5,108 €
TTC
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 4,257 € | 4 257,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3785
- Référence fabricant:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor FET linéaire OptiMOS d'Infineon est une approche révolutionnaire pour éviter le compromis entre la résistance à l'état passant et le fonctionnement de la capacité de mode linéaire dans la région de saturation d'un transistor MOSFET à mode amélioré. Il offre le R DS(on) de pointe d'un transistor MOSFET en tranchée ainsi que la large zone de fonctionnement sûre d'un transistor MOSFET planaire classique.
Haut max. courant d'impulsion
Courant d'impulsion continu élevé
Fonctionnement en mode linéaire robuste
Faibles pertes de conduction
Courant d'impulsion continu élevé
Fonctionnement en mode linéaire robuste
Faibles pertes de conduction
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 176 A |
| Tension Drain Source maximum | 100 V |
| Type de boîtier | PG-TO263-3 |
| Type de montage | CMS |
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