MOSFET canal N Infineon 120 A 100 V N, 3 broches, TO-263 iPB
- Code commande RS:
- 258-3785
- Référence fabricant:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
2 862,00 €
HT
3 434,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 1 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,862 € | 2 862,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3785
- Référence fabricant:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 195nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 313W | |
| Tension directe Vf | 890mV | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 195nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 313W | ||
Tension directe Vf 890mV | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série iPB, tension drain-source maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 120 A - IPB020N10N5LFATMA1
Ce MOSFET est un transistor de puissance à canal N à courant élevé conçu pour la commutation de puissance montée en surface dans des environnements thermiques exigeants. Il fonctionne sur une large plage ambiante et offre de fortes performances de conduction pour les applications nécessitant un courant de drain continu important et une énergie d'entraînement de grille modérée.
Caractéristiques et avantages :
• La faible résistance à l'état passant réduit les pertes de conduction pour un fonctionnement à courant élevé
• La dissipation de puissance élevée permet une gestion de charge soutenue à dissipation élevée
• Tension nominale drain-source robuste permettant une commutation sûre jusqu'à 100 V
• La grande capacité de courant de drain continu prend en charge les systèmes à courant élevé
• La charge de grille modérée équilibre la vitesse de commutation et les exigences d'entraînement de grille
• La dissipation de puissance élevée permet une gestion de charge soutenue à dissipation élevée
• Tension nominale drain-source robuste permettant une commutation sûre jusqu'à 100 V
• La grande capacité de courant de drain continu prend en charge les systèmes à courant élevé
• La charge de grille modérée équilibre la vitesse de commutation et les exigences d'entraînement de grille
Applications
• Convient aux blocs de distribution d'alimentation c.c. à courant élevé
• Idéal pour les alimentations à découpage dans les systèmes compacts
• Utilisé avec les drivers de moteur nécessitant des tolérances de 100 V
• Peut être utilisé pour les étages d'alimentation des serveurs et des télécommunications
• Convient aux convertisseurs industriels fonctionnant à des températures élevées
• Idéal pour les alimentations à découpage dans les systèmes compacts
• Utilisé avec les drivers de moteur nécessitant des tolérances de 100 V
• Peut être utilisé pour les étages d'alimentation des serveurs et des télécommunications
• Convient aux convertisseurs industriels fonctionnant à des températures élevées
Quelles températures ambiantes peut-il tolérer?
Il fonctionne sur une large plage de -55 à 150 °C, prenant en charge à la fois le démarrage à froid et le fonctionnement à haute température.
Comment est-il conditionné pour l'assemblage de circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier TO-263 à montage en surface destiné aux installations d'alimentation montées sur carte.
Quelles sont les considérations relatives à l'entraînement de grille qui s'appliquent aux performances de commutation?
La charge de grille totale typique est de 195 nC, ce qui indique le courant de commande de grille et les exigences de temporisation de commutation.
Quelles sont les limites de sécurité qui régissent les excursions de la porte à la source?
La tension grille-source maximale admissible est de 20 V et ne doit pas être dépassée pour éviter les contraintes sur l'appareil.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 120 A 100 V N TO-263 iPB
- MOSFET canal N Infineon 120 A 120 V N, TO-263 iPB
- MOSFET canal N Infineon 120 A Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 100 A 120 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 120 A 60 V Enrichissement TO-263 iPB
- MOSFET canal N Infineon 100 A 60 V N, TO-263 iPB
- MOSFET canal N Infineon 103 A 100 V P, TO-263 iPB