MOSFET N Infineon 120 A 100 V N, 3 broches, TO-263 iPB
- Code commande RS:
- 258-3786
- Référence fabricant:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,41 € |
| 10 - 24 | 5,15 € |
| 25 - 49 | 4,93 € |
| 50 - 99 | 4,70 € |
| 100 + | 4,39 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3786
- Référence fabricant:
- IPB020N10N5LFATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 313W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 195nC | |
| Tension directe Vf | 0.89V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 313W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 195nC | ||
Tension directe Vf 0.89V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor FET linéaire OptiMOS d'Infineon est une approche révolutionnaire pour éviter le compromis entre la résistance à l'état passant et le fonctionnement de la capacité de mode linéaire dans la région de saturation d'un transistor MOSFET à mode amélioré. Il offre le R DS(on) de pointe d'un transistor MOSFET en tranchée ainsi que la large zone de fonctionnement sûre d'un transistor MOSFET planaire classique.
Haut max. courant d'impulsion
Courant d'impulsion continu élevé
Fonctionnement en mode linéaire robuste
Faibles pertes de conduction
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