MOSFET canal N Infineon 120 A 120 V N, TO-263 iPB
- Code commande RS:
- 259-1546
- Référence fabricant:
- IPB038N12N3GATMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 259-1546
- Référence fabricant:
- IPB038N12N3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 120V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Mode de canal | N | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 120V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Mode de canal N | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
La famille Infineon 120 V optimos offre en même temps les résistances à l'état actif les plus basses de l'industrie et le comportement de commutation le plus rapide, ce qui permet d'obtenir des performances exceptionnelles dans une large gamme d'applications. La technologie optimos 120 V offre de nouvelles possibilités pour des solutions optimisées.
Excellentes performances de commutation
R DS(on) le plus faible au monde
Très faible Q g et Q gd
Excellente charge de grille x produit R DS(on) (FOM)
Conforme à la directive RoHS, sans halogène
Norme MSL1 2
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