MOSFET Infineon canal N, PG-TO263-3 120 A 120 V

La famille Infineon 120 V optimos offre en même temps les résistances à l'état actif les plus basses de l'industrie et le comportement de commutation le plus rapide, ce qui permet d'obtenir des performances exceptionnelles dans une large gamme d'applications. La technologie optimos 120 V offre de nouvelles possibilités pour des solutions optimisées.

Excellentes performances de commutation
R DS(on) le plus faible au monde
Très faible Q g et Q gd
Excellente charge de grille x produit R DS(on) (FOM)
Conforme à la directive RoHS, sans halogène
Norme MSL1 2