MOSFET canal N Infineon 17 A 200 V, TO-252 HEXFET

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Code commande RS:
258-3979
Référence fabricant:
IRFR15N20DTRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

17A

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-252

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

165mΩ

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

27nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Dissipation de puissance maximum Pd

140W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Les transistors MOSFET de puissance Infineon utilisent des procédés au silicium éprouvés offrant aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie. Les dispositifs sont disponibles dans une grande variété de boîtiers à montage en surface et à montage traversant avec des empreintes standard de l'industrie pour faciliter la conception.

Structure de cellule planaire pour large SOA

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Robustesse accrue

Compatibilité avec plusieurs fournisseurs

Niveau de qualification standard

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