MOSFET P Infineon 15 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 SPD15P10P

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Code commande RS:
258-7100
Référence fabricant:
SPD15P10PLGBTMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

15A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Série

SPD15P10P

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.20Ω

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Tension directe Vf

-0.96V

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

47nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

AEC Q101, Pb-free lead plating, RoHS

Standard automobile

Non

Le transistor de puissance SIPMOS d'Infineon appartient à la famille de transistors MOSFET de puissance à canal P OptiMOS extrêmement innovants. Ces produits répondent en permanence aux exigences de qualité et de performance les plus élevées dans les spécifications clés pour la conception de systèmes d'alimentation, telles que la résistance d'état et les caractéristiques de mérite.

Mode d'amélioration

Homologué contre les effets d'avalanche

Placage de câble sans plomb

Conforme à la directive RoHS

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