MOSFET canal N Infineon 58 A 25 V N, 8 broches, TDSON BSC

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Code commande RS:
259-1473
Référence fabricant:
BSC050NE2LSATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

58A

Tension Drain Source maximum Vds

25V

Type de Boitier

TDSON

Série

BSC

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

5mΩ

Mode de canal

N

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

28W

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

+150°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La famille de produits Infineon Optimos 25 V d'Infineon établit de nouvelles normes en termes de densité de puissance et d'efficacité énergétique pour les transistors MOSFET de puissance discrets et le système dans un boîtier. Charge de sortie et de grille ultra-faible, ainsi que la plus faible résistance à l'état sous tension dans un encombrement réduit. Il minimise les IEM dans le système, rendant obsolètes les réseaux snubber externes et les produits faciles à concevoir.

Economisez les coûts globaux du système en réduisant le nombre de phases dans les convertisseurs multiphasés

Réduit les pertes de puissance et augmente le rendement pour toutes les conditions de charge

Gagnez de l'espace avec les plus petits boîtiers tels que CanPAK, S3O8 ou solution système dans un boîtier

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