MOSFET canal N ROHM 4 A 20 V Enrichissement, 3 broches, SOT-346 RUR040N02HZG

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Code commande RS:
264-3886
Référence fabricant:
RUR040N02HZGTL
Marque:
ROHM
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Marque

ROHM

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

4A

Tension Drain Source maximum Vds

20V

Série

RUR040N02HZG

Type de Boitier

SOT-346

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

35mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8nC

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

AEC-Q101

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TH
Le transistor MOSFET à faible signal de la marque ROHM est un transistor MOSFET idéal pour les applications de commutation. Il s'agit d'un produit hautement fiable de classe automobile certifié AEC-Q101. Il est doté d'un petit boîtier à montage en surface.

Entraînement 1,5 V

Faible résistance à l'état passant

Diode de protection G-S intégrée

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