MOSFET canal N Infineon 87 A 60 V Enrichissement, 3 broches, PG-TO-220 FullPAK OptiMOS 5

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Code commande RS:
273-2996
Référence fabricant:
IPA029N06NM5SXKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

87A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PG-TO-220 FullPAK

Série

OptiMOS 5

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

2.9mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

38W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

56nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance d'Infineon dans le boîtier TO-220 fullPAK est doté d'une densité de puissance accrue, d'un rendement amélioré avec un faible RDS et de coûts système plus faibles. Le portefeuille de boîtiers TO-220 FullPAK de transistors MOSFET de puissance présente une solution parfaite pour la rectification synchrone.

Moins de parallélisation nécessaire

Dépassement de faible tension

Moins de génération de chaleur

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