MOSFET canal N Infineon 20.7 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS C3 AEC-Q101

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462-3449
Référence fabricant:
SPW20N60C3FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

20.7A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolMOS C3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

190mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

87nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

208W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

5.3mm

Longueur

15.9mm

Hauteur

20.95mm

Standard automobile

AEC-Q101

Infineon CoolMOS™ C3 Series MOSFET, 21A Maximum Continuous Drain Current, 208W Maximum Power Dissipation - SPW20N60C3FKSA1


Ce MOSFET est essentiel pour de nombreuses applications électroniques, conçues pour améliorer l'efficacité dans diverses tâches. Il est performant dans les environnements de forte puissance, dans les secteurs de l'automatisation, de l'électricité et de la mécanique. Doté de spécifications durables, il garantit des performances stables tout en gérant des charges importantes et en optimisant l'utilisation de l'énergie.

Caractéristiques et avantages


• La configuration à canal N améliore les capacités de conduction

• Le courant de vidange continu maximum de 21A permet des applications intensives

• La tension nominale élevée de 650 V assure la fiabilité dans des conditions difficiles

• La faible charge de grille facilite une commutation efficace, réduisant les pertes d'énergie

• Les excellentes performances thermiques permettent de travailler à des températures élevées

• Conçue pour un montage à travers le trou, ce qui simplifie les procédures d'assemblage

Applications


• Régulation et gestion de l'alimentation électrique dans les systèmes industriels

• Systèmes de commande de moteur pour une distribution efficace de l'énergie

• Utilisé dans les convertisseurs DC-DC pour la haute tension

• Intégration dans les systèmes d'énergie renouvelable pour une conversion efficace de l'énergie

• Utilisés dans l'électronique de puissance pour améliorer les performances des dispositifs

Quelle est la température maximale de fonctionnement de ce composant ?


Il fonctionne efficacement à une température maximale de +150°C, adapté aux environnements à haute température sans compromettre les performances.

En quoi la faible charge de grille est-elle bénéfique au fonctionnement de l'appareil ?


Une faible charge de grille permet des vitesses de commutation plus rapides, ce qui réduit considérablement les pertes de commutation et améliore l'efficacité globale pendant le fonctionnement.

Ce MOSFET peut-il supporter des cycles répétés à haute température ?


Oui, il est conçu pour conserver ses caractéristiques électriques au cours de nombreux cycles thermiques, ce qui garantit sa longévité dans des environnements à température variable.

Existe-t-il un type de montage spécifique recommandé pour cet appareil ?


Ce dispositif est destiné à être monté dans un trou traversant, ce qui facilite l'assemblage des circuits imprimés et permet d'obtenir des connexions mécaniques stables.

Quelles sont les précautions à prendre lors de l'installation ?


Veillez à ce que la tension porte-source ne dépasse pas les limites spécifiées (-20V à +20V) pour éviter d'endommager l'appareil, et suivez les précautions standard contre les décharges électrostatiques (ESD) pour éviter les dommages dus à l'électricité statique.

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