MOSFET canal N onsemi 11 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 SuperFET
- Code commande RS:
- 671-0337
- Référence fabricant:
- FCB11N60TM
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 671-0337
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- FCB11N60TM
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | SuperFET | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 380mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 40nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 125W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série SuperFET | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 380mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 40nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 125W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 10.67mm | ||
Largeur 9.65mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N SuperFET® et SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild a ajouté la famille de transistors de puissance MOSFET haute tension SuperFET® II grâce à la technologie Super Junction. Elle offre les meilleures performances en matière de diode à corps robuste dans les applications d'alimentations à découpage c.a.-c.c. telles que les serveurs, les télécommunications, l'informatique, les alimentations industrielles, les alimentations dans interruption, les signaux et signalisations électroniques, les convertisseurs solaires, les applications d'éclairage qui exigent forte densité de puissance, rendement système et fiabilité.
En utilisant une technologie d'équilibrage de charge avancée, les concepteurs obtiennent des solutions plus efficaces, rentables et performantes qui prennent moins de place sur le circuit et améliorent la fiabilité.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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