MOSFET canal N Infineon 290 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 HEXFET
- Code commande RS:
- 688-7014
- Référence fabricant:
- IRFP4468PBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
5,04 €
HT
6,05 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 185 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 octobre 2026
- Plus 258 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,04 € |
| 10 - 24 | 4,44 € |
| 25 - 49 | 4,13 € |
| 50 - 99 | 3,89 € |
| 100 + | 3,58 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 688-7014
- Référence fabricant:
- IRFP4468PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 290A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 360nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 520W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 15.87mm | |
| Largeur | 5.31mm | |
| Hauteur | 20.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 290A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 360nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 520W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 15.87mm | ||
Largeur 5.31mm | ||
Hauteur 20.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET pour commande de moteur et redresseur c.a.-c.c. synchrone, Infineon
MOSFET de commande moteur
Infineon propose une gamme de dispositifs MOSFET robustes à canal N et à canal P pour les applications de commande moteur.
MOSFET redresseur synchrone
La gamme de dispositifs MOSFET de redressement synchrones pour alimentations c.a.-c.c. répond aux demandes de vos clients pour une plus grande densité de puissance, une taille plus réduite, plus de portabilité et des systèmes plus souples.
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 290 A 100 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 180 A 100 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 44 A 250 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 78 A 150 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 93 A 250 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 50 A 200 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 30 A 200 V Enrichissement TO-247 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 57 A 250 V Enrichissement TO-247 HEXFET