Transistor de puissance canal N Infineon 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-220FP CoolMOS C3

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Code commande RS:
752-8476
Référence fabricant:
SPA11N80C3XKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

Transistor de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-220FP

Série

CoolMOS C3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

0.45Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

34W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

64nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

10.65mm

Normes/homologations

JEDEC, RoHS

Largeur

4.85mm

Hauteur

9.83mm

Standard automobile

Non

Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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