MOSFET canal N Infineon 16 A 560 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS C3
- Code commande RS:
- 753-3217
- Référence fabricant:
- SPW16N50C3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
4,31 €
HT
5,17 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 4 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
- Plus 17 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
- Plus 282 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,31 € |
| 10 - 24 | 4,09 € |
| 25 - 49 | 3,91 € |
| 50 - 99 | 3,76 € |
| 100 + | 3,49 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 753-3217
- Référence fabricant:
- SPW16N50C3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 560V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS C3 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 280mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 160W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 66nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Largeur | 5.21mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 560V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS C3 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 280mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 160W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 66nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 16.13mm | ||
Largeur 5.21mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3
Transistors MOSFET, Infineon
Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 16 A 560 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 32 A 560 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 11 A 800 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 17 A 800 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 47 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 34 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET canal N Infineon 20.7 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3 AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 77.5 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolMOS