MOSFET canal N Infineon 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS C3

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Code commande RS:
911-4940
Référence fabricant:
SPW11N80C3FKSA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

11A

Tension Drain Source maximum Vds

800V

Type de Boitier

TO-247

Série

CoolMOS C3

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

450mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

64nC

Dissipation de puissance maximum Pd

156W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

5.16mm

Normes/homologations

No

Longueur

16.13mm

Hauteur

21.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
DE

Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3


Transistors MOSFET, Infineon


Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

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