MOSFET canal N Infineon 11 A 800 V Enrichissement, 3 broches, TO-247 CoolMOS C3
- Code commande RS:
- 911-4940
- Référence fabricant:
- SPW11N80C3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (30 unités, dans un tube de 30)*
41,76 €
HT
50,10 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 3 660 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 1,392 € | 41,76 € |
| 60 - 120 | 1,35 € | 40,50 € |
| 150 - 270 | 1,308 € | 39,24 € |
| 300 + | 1,262 € | 37,86 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 911-4940
- Référence fabricant:
- SPW11N80C3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 11A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 800V | |
| Type de Boitier | TO-247 | |
| Série | CoolMOS C3 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 450mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 64nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 156W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5.16mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 16.13mm | |
| Hauteur | 21.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 11A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 800V | ||
Type de Boitier TO-247 | ||
Série CoolMOS C3 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 450mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 64nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 156W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5.16mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 16.13mm | ||
Hauteur 21.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- DE
Transistors MOSFET de puissance Infineon CoolMOS™C3
Transistors MOSFET, Infineon
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 11 A 800 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET N Infineon 17 A 800 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET N Infineon 11 A 800 V Enrichissement TO-220 CoolMOS C3
- Transistor de puissance N Infineon 11 A 800 V Enrichissement TO-220FP CoolMOS C3
- MOSFET N Infineon 47 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET N Infineon 16 A 560 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET N Infineon 32 A 560 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
- MOSFET N Infineon 34 A 650 V Enrichissement TO-247 CoolMOS C3
