MOSFET P onsemi 7.5 A 30 V Enrichissement, 4 broches, SOT-223 NDT
- Code commande RS:
- 761-3971
- Référence fabricant:
- NDT456P
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 761-3971
- Référence fabricant:
- NDT456P
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Série | NDT | |
| Type de Boitier | SOT-223 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 54mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -65°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 47nC | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3.7mm | |
| Hauteur | 1.7mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 6.7mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Série NDT | ||
Type de Boitier SOT-223 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 54mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3W | ||
Température minimum de fonctionnemen -65°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 47nC | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3.7mm | ||
Hauteur 1.7mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 6.7mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET à canal P à mode d'enrichissement, on Semiconductor
La gamme de transistors MOSFET à canal P d'ON Semiconductors est produite à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité de cellules d'ON Semi. Ce processus à très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant afin de fournir des performances robustes et fiables pour une commutation rapide.
Caractéristiques et avantages :
Commutateur de petit signal à canal P contrôlé par tension
Conception de cellule haute densité
• Courant de saturation élevé
• commutation supérieure
Excellentes performances robustes et fiables
Technologie DMOS
Applications :
Commutation de charge
• Convertisseur c.c./c.c.
Protection de batterie
• Commande de gestion de l'alimentation
Commande de moteur c.c.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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