Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	360 mA
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	1,6 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.6V
Tension de seuil minimale de la grille	0.48V
Dissipation de puissance maximum	420 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	1.4mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	0,6 nC @ 4,5 V
Longueur	3mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1mm

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	360 mA
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	1,6 Ω
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1.6V
Tension de seuil minimale de la grille	0.48V
Dissipation de puissance maximum	420 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	1.4mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	0,6 nC @ 4,5 V
Longueur	3mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1mm

MOSFET Nexperia canal N, SOT-23 360 mA 60 V, 3 broches

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