MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 4,7 A 60 V, 3 broches

Code commande RS:: 815-2673
Référence fabricant:: SIHF9Z14S-GE3
Marque:: Vishay

MOSFET Vishay canal P, D2PAK (TO-263) 4,7 A 60 V, 3 broches

En cours d'approvisionnement

Prix pour l'unité (par multiple de 10)

1,115 €

1,338 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 90	1,115 €	11,15 €
100 - 240	1,049 €	10,49 €
250 - 490	0,948 €	9,48 €
500 - 990	0,892 €	8,92 €
1000 +	0,836 €	8,36 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 815-2673
Référence fabricant:: SIHF9Z14S-GE3
Marque:: Vishay

Documentation technique

IRF9Z14S, SiHF9Z14S, IRF9Z14L, SiHF9Z14L, Power MOSFET

Législation et Conformité

Pays d'origine :: CN

Détail produit

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	4,7 A
Tension Drain Source maximum	60 V
Type de boîtier	D2PAK (TO-263)
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	500 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	43 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Largeur	9.65mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs	12 nC @ 10 V
Longueur	10.67mm
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	4.83mm