MOSFET P Infineon 40 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS P
- Code commande RS:
- 825-9134
- Référence fabricant:
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 100 de plus pour économiser 22%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 20 unités)*
11,78 €
HT
14,14 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 5 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 août 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,589 € | 11,78 € | - |
| 100 - 180 | 0,454 € | 9,08 € | 22% |
| 200 - 480 | 0,424 € | 8,48 € | 28% |
| 500 - 980 | 0,395 € | 7,90 € | 32% |
| 1000 + | 0,366 € | 7,32 € | 37% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 825-9134
- Référence fabricant:
- BSZ086P03NS3EGATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 40A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TSDSON | |
| Série | OptiMOS P | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 13.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 69W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -25V, +25V | |
| Tension directe Vf | -1.1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 3.4mm | |
| Longueur | 3.4mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 40A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TSDSON | ||
Série OptiMOS P | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 13.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 69W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 43.2nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -25V, +25V | ||
Tension directe Vf -1.1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 3.4mm | ||
Longueur 3.4mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS non applicable
Transistor MOSFET OptiMOS série P d'Infineon, tension de source de drain maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 40 A - BSZ086P03NS3EGATMA1
Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal P conçu pour la commutation à courant élevé dans les assemblages compacts à montage en surface. Il fonctionne dans une large plage de températures adaptée aux environnements électroniques exigeants et est conçu pour supporter des courants de drain et une dissipation de puissance importantes. Le boîtier est un TSDSON à 8 broches à profil bas pour un montage efficace sur circuit imprimé et des performances thermiques.
Caractéristiques et avantages :
• La faible résistance à l'état passant réduit les pertes de conduction lors de courants élevés
• Le courant de drain continu de 40 A prend en charge la commutation de charges lourdes
• La dissipation de puissance maximale de 69 W permet une gestion de puissance plus élevée
• La charge de grille typique 43.2 nC équilibre la vitesse de commutation et l'effort d'entraînement
• La tolérance de grille de 25 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
• Valeur nominale de drain‐source de 30 V adaptée aux conceptions de systèmes à tension modérée
• Le courant de drain continu de 40 A prend en charge la commutation de charges lourdes
• La dissipation de puissance maximale de 69 W permet une gestion de puissance plus élevée
• La charge de grille typique 43.2 nC équilibre la vitesse de commutation et l'effort d'entraînement
• La tolérance de grille de 25 V permet des marges d'entraînement de grille robustes
• Valeur nominale de drain‐source de 30 V adaptée aux conceptions de systèmes à tension modérée
Applications
• Convient aux modules de conversion de puissance de point de charge
• Idéal pour les commutateurs de convertisseur abaisseur synchrone
• Utilisé avec les circuits de gestion des batteries dans les systèmes d'alimentation
• Peut être utilisé pour la commande de moteur-driver low-side/voie d'alimentation
• Adapté aux rails d'alimentation pour les télécommunications et les serveurs
• Idéal pour les commutateurs de convertisseur abaisseur synchrone
• Utilisé avec les circuits de gestion des batteries dans les systèmes d'alimentation
• Peut être utilisé pour la commande de moteur-driver low-side/voie d'alimentation
• Adapté aux rails d'alimentation pour les télécommunications et les serveurs
Quelles sont les extrêmes thermiques qu'il peut supporter pendant son fonctionnement?
Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 150 °C, s'adaptant à de larges variations d'ambiance et de jonction.
Combien de broches et quelle méthode de montage utilise-t-il?
Le dispositif utilise un encombrement de 8 broches et est destiné au montage en surface dans un boîtier TSDSON.
Quelles sont les caractéristiques électriques qui limitent les pertes de conduction?
La résistance maximale de drain‐source du dispositif est de 13,4 mΩ, ce qui régit la chute de tension à l'état passant et l'efficacité.
Quelles sont les considérations relatives à la commande de grille qui sont pertinentes pour la conception de la commutation?
Avec une charge de grille typique de 43,2 nC et une valeur nominale de source de grille maximale de 25 V, les circuits d'entraînement doivent fournir une charge suffisante tout en restant dans les limites de tension.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Infineon 40 A 30 V Enrichissement TSDSON OptiMOS P
- MOSFET P Infineon 39.6 A 30 V Enrichissement TSDSON OptiMOS P3
- MOSFET canal N Infineon 40 A 30 V Enrichissement TSDSON OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 40 A 30 V Enrichissement TSDSON OptiMOS 3
- MOSFET P Infineon -19.5 A 60 V Enrichissement PG-TSDSON-8FL OptiMOS Power Transistor
- MOSFET canal N Infineon 142 A 30 V Enrichissement PG-TSDSON-8FL OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 106 A 30 V Enrichissement PG-TSDSON-8FL OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 40 A 25 V Enrichissement TSDSON OptiMOS