MOSFET P Infineon 39.6 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS P3

Voir la catégorie
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

32,00 €

HT

38,50 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard

Unité
Prix par unité
le paquet*
50 - 500,64 €32,00 €
100 - 2000,505 €25,25 €
250 - 4500,473 €23,65 €
500 - 12000,441 €22,05 €
1250 +0,409 €20,45 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
214-8990
Référence fabricant:
BSZ180P03NS3GATMA1
Marque:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

39.6A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

OptiMOS P3

Type de Boitier

TSDSON

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

18mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

40W

Tension directe Vf

-1.1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

1.1mm

Longueur

5.49mm

Largeur

6.35mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

La gamme Infineon de MOSFET de puissance à canal P unique OptiMOS est conçue pour offrir des fonctions améliorées répondant aux performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent c.c.-c.c., commande de moteur, gestion de batterie et commutation de charge.

Sa température d'utilisation est de 150 °C.

Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles

Nos clients ont également consulté