MOSFET P Infineon 39.6 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS P3

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Code commande RS:
214-8989
Référence fabricant:
BSZ180P03NS3GATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

39.6A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Type de Boitier

TSDSON

Série

OptiMOS P3

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

18mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

25V

Tension directe Vf

-1.1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

20nC

Dissipation de puissance maximum Pd

40W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

5.49mm

Normes/homologations

No

Largeur

6.35mm

Hauteur

1.1mm

Standard automobile

Non

La gamme Infineon de MOSFET de puissance à canal P unique OptiMOS est conçue pour offrir des fonctions améliorées répondant aux performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent c.c.-c.c., commande de moteur, gestion de batterie et commutation de charge.

Sa température d'utilisation est de 150 °C.

Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles

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