MOSFET P Infineon 39.6 A 30 V Enrichissement, 8 broches, TSDSON OptiMOS P3
- Code commande RS:
- 214-8989
- Référence fabricant:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*
840,00 €
HT
1 010,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,168 € | 840,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-8989
- Référence fabricant:
- BSZ180P03NS3GATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 39.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | TSDSON | |
| Série | OptiMOS P3 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 20nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 25V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 40W | |
| Tension directe Vf | -1.1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 6.35mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Longueur | 5.49mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 39.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier TSDSON | ||
Série OptiMOS P3 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 20nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 25V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 40W | ||
Tension directe Vf -1.1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 6.35mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Longueur 5.49mm | ||
Standard automobile Non | ||
La gamme Infineon de MOSFET de puissance à canal P unique OptiMOS est conçue pour offrir des fonctions améliorées répondant aux performances de qualité. Les caractéristiques incluent une perte de commutation ultra faible, la résistance à l'état passant, les valeurs nominales avalanche, ainsi que la conformité AEC pour les solutions automobiles. Les applications incluent c.c.-c.c., commande de moteur, gestion de batterie et commutation de charge.
Sa température d'utilisation est de 150 °C.
Qualifié conformément à JEDEC pour les applications cibles
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