MOSFET Infineon canal P, SOIC 4,9 A 30 V, 8 broches

Name: MOSFET Infineon canal P, SOIC 4,9 A 30 V, 8 broches
Brand: Infineon
SKU: 826-8872
Price: 0.32 EUR
Availability: InStock

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Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	4,9 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	SOIC
Série	HEXFET
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	98 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Tension de seuil minimale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	2 W
Configuration du transistor	Isolé
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Largeur	4mm
Charge de Grille type @ Vgs	23 nC @ 10 V
Longueur	5mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	2
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	1.5mm