MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches

Code commande RS:: 857-4600
Référence fabricant:: IPD50N04S410ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET Infineon canal N, DPAK (TO-252) 50 A 40 V, 3 broches

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0,274 €

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*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 857-4600
Référence fabricant:: IPD50N04S410ATMA1
Marque:: Infineon

Documentation technique

OptiMOS® -T2 Power-Transistor

Législation et Conformité

Statut RoHS : Exempté

Détail produit

Transistor de puissance MOSFET OptiMOS™ T2 d'Infineon

La nouvelle gamme OptiMOS™ -T2 d'Infineon se compose de transistors MOSFET éco-énergétiques avec réduction du CO2 et entraînements électriques. La nouvelle famille de produits OptiMOS™ -T2 vient compléter les familles de produits existantes OptiMOS™ -T et OptiMOS™.

Les produits OptiMOS™ sont disponibles dans des boîtiers haute performance pour gérer les applications les plus difficiles ce qui donne une flexibilité totale dans les espaces réduits. Ces produits d'Infineon sont conçus pour répondre aux exigences de rendement énergétique et de densité de puissance des normes de régulation de tension des applications informatiques plus pointues de la prochaine génération et pour les dépasser.

Canal N - Mode d'enrichissement
Qualifié AEC
MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
Température d'utilisation de 175 °C
Produit vert (conforme à la norme RoHS)

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	50 A
Tension Drain Source maximum	40 V
Type de boîtier	DPAK (TO-252)
Série	OptiMOS™ -T2
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	9,3 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	41 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Longueur	6.73mm
Charge de Grille type @ Vgs	14 nC @ 10 V
Largeur	6.22mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	2.41mm