MOSFET canal N Toshiba 31 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 TK

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Code commande RS:
891-2958
Référence fabricant:
TK31E60W,S1VX(S
Marque:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

31A

Tension Drain Source maximum Vds

600V

Type de Boitier

TO-220

Série

TK

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

88mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

86nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Tension directe Vf

-1.7V

Dissipation de puissance maximum Pd

230W

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

4.45mm

Longueur

10.16mm

Normes/homologations

No

Hauteur

15.1mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN

Transistor MOSFET à canal N, série TK3x, Toshiba


Transistors MOSFET, Toshiba


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